Кінетичні ефекти в кремнії та германії при сильних одновісних тисках

У роботі систематизовано результати досліджень кінетичних ефектів в багатодолинних напівпровідниках кремнію та германію при сильних одновісних тисках. З використанням методів вимірювання поздовжнього п’єзоопору та п’єзо-холл-ефекту в монокристалах германію та кремнію з періодичним розподілом легуючої домішки досліджено вплив ШПН при різних дозах γ-опромінення та інтенсивностях світла на анізотропію електрофізичних величин. Встановлено вплив долин зони провідності на характер перерозподілу носіїв заряду в зоні для в температурному інтервалі при сильних одновісних деформаціях. На основі аналізу проведених досліджень нейтронно-легованого та γ-опроміненого кремнію однозначно встановлено, що природа сильної анізотропії тензорезистивних властивостей для еквівалентних напрямків {100} γ-опроміненого Si, легованого фосфором під час вирощування пов’язана з неоднорідною компенсацією донорів, які неоднорідно розподіляються в об’ємі при звичайному легуванні, радіаційними дефектами акцепторного типу, що утворюються під час γ-опромінення матеріалу. Встановлено, що відсутність насичення питомого опору при вимірюваннях поздовжнього ТРЕ в області сильних одновісних тисків ( ) в нейтронно-легованому і γ-опроміненому кремнії пов’язана з додатковою генерацією вільних електронів внаслідок зменшення із зростанням X//[001] енергії активації енергетичних рівнів таких дефектів кристалічної гратки як: 1) донорна домішка фосфору, яка виникає внаслідок ядерної реакції трансмутації атомів ізотопу 30Si в 31P при опроміненні тепловими нейтронами; 2) термодонори-ІІ, які формуються в кристалах кремнію з високим вмістом кисню (кремній вирощений за методом Чохральського) при високотемпературних відпалах Т=(650 ÷ 800)С (технологічний відпал нейтронно-легованих кристалів); 3) А-центр − комплекс вакансії з міжвузловим атомом кисню, який виникає в γ-опроміненому кремнії і утворює в забороненій зоні глибокий акцепторний рівень Ес - 0,17 еВ.
Монографія розрахована на фахівців з фізики напівпровідників та радіаційної фізики, аспірантів та студентів старших курсів фізико-технічних спеціальностей університетів.